分子流量模块
新应用:离子植入器评估器
该应用检查离子植入装置内的数量密度,压力和分子通量。晶片的角度,化学成分,温度,量子速度和泵的速度都是输入。视觉结果包括数量密度的3D图,而分析结果给出了沿光束线的平均数量密度。
更快的自由分子流量计算的数值改进
这游离分子流界面更有效地平行,可以在计算过程中有效使用更多的核心。下表显示了与以前的版本相比,在Comsol Multiphysics 5.1中运行了三个教程模型的速度。使用10核机来运行模拟。
教程 | CPU时间(5.0) | CPU时间(5.1) | 加速 |
蒸发器 | 2H 24m 4s | 18m 31s | 7.8 |
超出管道 | 2m 57s | 45s | 3.9 |
离子植入器 | 5m 15s | 2m 1s | 2.6 |
分子流的多种物种
指定超出率的新选项
现在可以用[(torr * l)/cm^2/s]或[(mbar * l)/cm^2/s]指定量表的速率2)。您现在可以在新的热解吸当率特征量大在墙边界条件下选择墙选项。
新教程:超高真空的化学蒸气沉积
化学蒸气沉积(CVD)是在半导体工业中通常用于的过程,用于在晶圆底物上种植高纯度固体材料层。CVD是使用许多不同技术以及从大气到超高真空(UHV/CVD)的一系列压力来实现的。由于UHV/CVD以低于10-6 PA(10-8 TOR)的压力进行,因此通过分子流量来实现气体传输,并且缺乏任何流体动力效应,例如边界层。此外,由于不涉及气相化学(由于分子碰撞的频率低),生长速率将由物种的数量密度和表面分子分解过程确定。
本教程在游离分子流界面以模拟CVD的硅晶片的生长。在运行辅助扫描后,探索了不同抽水曲线的效果。
该图显示了在超高真空吸尘器化学蒸气沉积过程中Sih4的分子通量分数。
该图显示了在超高真空吸尘器化学蒸气沉积过程中Sih4的分子通量分数。