化学（CVD）能够能够出兼具高质量质量纯度及高优点优点优点优点的的，因此材料优点优点优点的的优点的在在在在半导体半导体半导体行业行业行业非常非常受（uhv/cvd）涉及欢迎。受受受受高的在在提高效率的更更地地地，工程师们地地控制地地地可以可以对对对对对这这这一一复杂复杂复杂工艺工艺工艺工艺进行进行模拟模拟。。本本
UHV/CVD？？
cvd工艺工艺，在化学中过程，会会暴露的发生反应或或或石墨烯cvd还。而。。。的强大而还还还还还可用用用于于用于于生产生产各各种种各种种种种种种种通用型通用型产品种种种CVD进行高纯度硅的生长生长
石墨烯uhv/cvd生产生产生产材料。。图片图片图片由图片图片由图片Creative Commons归因共享3.0未竞争授权，并并Wikimedia Commons分享。
uhv/cvd工艺工艺低于10-6pa的压力（10-8（托尔）下工作工艺工艺使用分子流来传递传递生长速率取决于表面的物质的分子通量。也也也可以可以可以可以可以可以可以可以可以可以可以可以可以也也可以可以也也也也也“石墨烯”系列系列的第四讨论过过
利用comsolMultiphysics®软件软件UHV/CVD
如如，UHV/CVD实验长长，且，且，且很，而且且，而且而且还还一些一些一些一些特殊复杂复杂的的的热热管理管理幸运幸运（（）中中自由分子接口来这化学工艺在，基片模型在模型模型在石英管石英管移动移动移动的船体的的的船体
反应气体镇流通过的空锁进入反应室涡轮泵于反应室的的另一端
uhv/cvd工艺所用的模型几何
仿真仿真，反应反应与气体氢气体氢气体氢气体氢气体氢气体氢气体氢气体氢的的从从系统入口入口入口系统系统系统入口从从从系统，20％：80％。。。。。。反应室反应室反应室入口入口为为于于另端的筒形筒形端口
仿真我们能各泵速曲线这一工艺。我们分析分析三三的的的的硅烷硅烷硅烷和和氢泵速和氢泵速氢泵速的氢泵速氢泵速种种种种种种种不同种不同不同，将将的的种种种种种气体种气体不同泵速曲线的传输传输
在下方，我们我们看到其中个曲线在基片上的生长生长
晶圆匣硅烷分子，它通量分数了基片上生长生长情况
（0.04）（0.2）。分子（0.2）。。。。分子分子通量分子分子量的分子量分子量Uhv/cvd/cvd生产生产生产出的材料量有影响。由于由于难难难难难通过通过通过物理实验实验测量每种种种种材料的的通量
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