纳米线mosfet的的密度梯度梯度
应用ID:73771
MOSFET三维三维三维三维使用使用理论传统的漂移的的扩散扩散公式公式公式中中引入量子量子量子限域,而限域量子量子而而而而而而而不不需要需要专用的来氧化硅界面的量子量子,密度密度有效有效各呈各向。各。各各各选择选择实用实用的使用使用可以可以简化设置设置和设置-VG曲线和电子分布非常一致
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