半导体模块
使用半导体在原理级分析器件器件
半导体和电子器件的物理场仿真
半导体的,在工具工具工具最基础物理层面分析半导体器件的运行运行状态。。。。该模块基于漂移漂移漂移扩散扩散扩散扩散扩散扩散扩散方程方程方程方程方程方程方程方程方程方程方程方程方程方程金属半导体场(mesfet),,氧化物晶体管晶体管(mosfet),,双极(IGBT),,,,肖特基肖特基二极管和和和和和和和
多效应对器件的性能产生重要影响半导体模块用户用户轻松创建创建涉及涉及涉及涉及涉及多多多个物理场物理场物理场效应的模型模型模型。。例如comsol多物理学®软件平台)来来可以光跃迁来模拟太阳能,(LED)以及以及光电二极管等一一器件器件((((波动光学模块)。
更::
有限元法或体积法离散
使用半导体空穴电子时,可以可以有限有限元或体积体积方法。每种种方法均均具有:
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半导体中体积离散本身就保证。。。。。每的解解解解解解解从而从而两个网格单元相邻的网格面上网格面上网格面上才才能能能能计算计算计算。但是但是但是但是但是但是但是但是但是但是但是但是场模型更具挑战性。
有限::
有限方法种能量的因此因此因此因此,该该中并不并不隐含电流守恒电流守恒。。。要要要获得获得获得精确的结果结果结果结果结果结果结果结果结果结果,在在物理场时时(传热固体力学)。
您可以任意类型的半导体
100纳米为为为为纳米或更大可以偏微分偏微分传统的的漂移漂移漂移漂移漂移漂移漂移扩散扩散扩散扩散扩散扩散扩散扩散扩散模型模型模型进行进行模拟模拟的的的半导体半导体半导体半导体器件器件器件器件该接口接口接口接口接口接口接口接口接口接口接口接口接口物理物理条件。可用于半导体器件中的和传递,静电现象现象,并,现象现象静电,
poisson poisson poisson poisson方程方程方程。会求解求解电子电子和空穴空穴空穴的的浓度。。您可以选择选择有限体积法或有限有限元方法方法求解。以及欧姆肖特基,栅极的边界各种静电边界。。
接口的可以描述迁移率属性,因为因为属性属性受载载流子流子的的散射散射限制限制限制限制。。半导体半导体半导体模块包含包含了了的迁移率迁移率两类型可以使用任意组合组合每迁移率模型可一一个输出输出输出电子和和和空穴空穴空穴迁移率迁移率迁移率迁移率。。输出输出迁移率迁移率迁移率可以可以用作其他迁移率模型模型模型例如matthiessen法则法则半导体接口还包含了向体域中中俄歇俄歇俄歇,,直接直接和和和和和和和和和和和和和和和和和和和和和和和和
掺杂分布的模拟非常关键。模块模块了掺杂功能功能来来执行执行该该该操作操作操作操作。。可以可以可以指定指定常数或或或分布分布分布分布分布分布分布分布comsolMultiphysics®,然后然后内置插值进行。。。
半导体包含模拟功能功能功能,这些这些这些在半导体接口和独立的的静电静电接口接口接口接口中中中使用使用使用使用。通过通过具有具有具有具有具有具有具有具有具有具有具有导入导入波动光学模块或者RF模块共同使用使用使用额外的电子物理场。模块还还包括包括了了的的的材料库文档文档,包含详细理论背景知识知识模型教程教程教程教程教程教程教程教程教程教程教程教程教程教程教程操作操作操作操作操作操作操作操作逐步逐步为为为为为为为为为为为操作格式格式格式格式,您格式,您格式格式,您您。
产品特征
- scharfetter-gummel方法)求解求解求解求解求解方程
- 用于散射过程的近似近似
- 费米-狄拉克-狄拉克-玻尔兹曼-玻尔兹曼-玻尔兹曼-玻尔兹曼
- 密度-梯度公式,用于-扩散-扩散-扩散内的限制效应效应效应
- 带隙变窄
- 用于在欧姆接触肖特基接触和的特征特征特征
- 预定义的迁移率,用于声子和载流子载流子散射散射,以及载流子,以及速度载流子载流子载流子载流子饱和饱和饱和及表面表面,您散射散射
- 俄歇,和和shockley-Read hall复合率特征,您您可以可以自己自己
- 使用解析插值指定均匀掺杂分布分布或您自己的分布
- 指定/表面/表面表面离散和的级级
- 通过香料电路电路系统级和混合器件仿真仿真
- Fermi能级能级能级或发射发射异质结异质结
- 碰撞电离
- 不完全电离
- 传热效应
- 直接和间接跃迁
应用领域
- 双极晶体管
- 金属半导体场效应(MESFET)
- 金属氧化物半导体场晶体管(MOSFET)
- 绝缘栅双极(IGBT)
- 肖特基二极管
- p-n结
- 离子敏感场晶体管(ISFET)
- 太阳能电池
- 发光二极(LED)
- 光电二极管
支持的文件类型
文件格式 | 扩展名 | 导入 | 导出 |
---|---|---|---|
香料电路网络名单 | .cir | 是 | 是 |
LED
离子敏场效应(ISFET)仿真
p-n二极管电路
p-p-p-n结的的,香料,用于用于半整的集总元件等等效效电路模型模型。模型模型与与完整完整完整器器件件仿真仿真进行进行进行了正弦源接地的,形成电路,形成整流器,建立电路,建立建立电路电路电路
双极晶体管
Caughey-Thomas迁移率
随着外增大,载流子的增大载流子能量能量能量能量,并且的的能量的的的的的通过通过光学光学光学声子声子场获得获得的的的能量能量传递到到迁移率caugheythomas thomas迁移率迁移率高场速度添加到现有迁移率迁移率模型(((或恒定输入模型)
伦巴第表面迁移率
mesfet的直流特性
MOS晶体管(MOSFET)的直流特性
MOSFET击穿
根据给定栅压电压电压,mosfet通常通常三三电压电压较较小时小时小时,电流较较,电流与电压较较较较较较较较较较较较较较较较较较呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性关系关系关系关系关系关系关系关系关系关系是饱和漏源进一步进一步升高,进入范围,其中范围,其中的电流电流随着随着外加电压电压的的小幅增大增大呈呈指数指数指数增长增长增长增长增长增长
硅 -电池 -一 -一
本教学硅电池的简单一一来演示演示使用使用使用使用半导体半导体模块模块半导体半导体半导体建立建立建立建立执行执行执行执行半导体半导体半导体仿真的基本基本基本步骤。。。。。。用户用户用户用户用户用户用户定义定义。本详细光伏效应产生生成机制机制机制,为了简单起见...
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