MOSFET击穿

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根据给定栅压电压电压,mosfet通常通常三三电压电压较较小时小时小时,电流较较,电流与电压较较较较较较较较较较较较较较较较较较呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性呈线性关系关系关系关系关系关系关系关系关系关系是饱和漏源进一步升高,进入,进入范围,其中的范围电流电流随着外加外加电压电压的的小幅增大呈呈指数指数增长增长

此模型如何瞬态求解器对对对中中的电离进行建模,

案例中的类通常可通过产品建模: