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通过弱约束重现“浮动潜力”
发表于2016年5月4日，上午7:34 CDT版本5.21回复
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你好，
为了理解弱约束（用于更复杂的问题），我试图通过弱约束来重现“浮动电位”节点（在静电中）。
为了系统地进行，我在附带的模型中进行了以下操作：
案例1：电势
我已经在测试电极（左圆），-1V上设置了固定电位。我进行了全局评估来计算电荷：intop1（nx*up（es.dx）+ny*up（es.dy）） - 电极表面上的积分给出了电荷，导致-2.4152e -11 C/m
案例2：浮动潜力
（电势残疾）。我已经在同一电极上指定了浮动电势，并从上一个计算中插入了-2.4152e -11 c/m的值。我得到相同的模式
案例3 ：（浮动潜在禁用）
- 全局约束：intop1（nx*up（es.dx）+ny*up（es.dy））+2.4152e-11 [c/m]，它应该设置电极的总电荷
- 弱约束：nx*up（es.ey）-ny*up（es.ex），这是表面正常向量和E之间的交叉产物切向组件，电极表面在等电位上）。
我得到的场模式完全不同。
我正在尝试阅读更多有关弱约束的信息，并更好地理解它。如果有人给出明智的提示，它的速度会更快。
从“浮动电位”节点中，我推断出它可以通过在边界上的V上设置约束（到一定的浮动值），而不是要求E具有消失的切向组件。这将如何在弱约束节点中完成？
谢谢
为了理解弱约束（用于更复杂的问题），我试图通过弱约束来重现“浮动电位”节点（在静电中）。
为了系统地进行，我在附带的模型中进行了以下操作：
案例1：电势
我已经在测试电极（左圆），-1V上设置了固定电位。我进行了全局评估来计算电荷：intop1（nx*up（es.dx）+ny*up（es.dy）） - 电极表面上的积分给出了电荷，导致-2.4152e -11 C/m
案例2：浮动潜力
（电势残疾）。我已经在同一电极上指定了浮动电势，并从上一个计算中插入了-2.4152e -11 c/m的值。我得到相同的模式
案例3 ：（浮动潜在禁用）
- 全局约束：intop1（nx*up（es.dx）+ny*up（es.dy））+2.4152e-11 [c/m]，它应该设置电极的总电荷
- 弱约束：nx*up（es.ey）-ny*up（es.ex），这是表面正常向量和E之间的交叉产物切向组件，电极表面在等电位上）。
我得到的场模式完全不同。
我正在尝试阅读更多有关弱约束的信息，并更好地理解它。如果有人给出明智的提示，它的速度会更快。
从“浮动电位”节点中，我推断出它可以通过在边界上的V上设置约束（到一定的浮动值），而不是要求E具有消失的切向组件。这将如何在弱约束节点中完成？
谢谢
附件：
1回复
上一篇文章2016年5月4日，上午8:49 CDT
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发表：6年前
我发现了这个示例：
www.dvdachetez.com/model/download/262881/models.mph.loaded_spring.pdf
这是我问题的完美类似物。
那是：
1-使用“全局方程式”节点，其中需要在电极表面上集成的n*d等于规定的电荷（Q0 - 根据case1计算），引入状态变量Vprobe
2-在具有潜在Vprobe的探针电极上设置一个电势节点
它几乎可以正常工作，除了末端的解决方案给出了intop1（n*d）= q0/2。电极上的充电仅是规定值的一半...有任何技巧吗？
谢谢
www.dvdachetez.com/model/download/262881/models.mph.loaded_spring.pdf
这是我问题的完美类似物。
那是：
1-使用“全局方程式”节点，其中需要在电极表面上集成的n*d等于规定的电荷（Q0 - 根据case1计算），引入状态变量Vprobe
2-在具有潜在Vprobe的探针电极上设置一个电势节点
它几乎可以正常工作，除了末端的解决方案给出了intop1（n*d）= q0/2。电极上的充电仅是规定值的一半...有任何技巧吗？
谢谢
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