纳米线MOSFET的3D密度梯度模拟
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这种纳米线MOSFET的3D模型采用密度梯度理论，将量子限制的效果添加到常规的漂移扩散配方中，而无需过高的计算成本。用几何结构域明确模拟氧化物层，并通过专用边界条件来解释硅氧化物界面处的量子限制。密度梯度有效质量是各向异性的。各种选择实用程序用于简化物理设置和情节选择的分配。该结果与参考文件中发表的ID-VG曲线和电子密度曲线非常匹配。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：乐动体育app无法登录
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