MESFET的直流特征
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在MESFET中，栅极形成一个整流的连接点，该连接处通过改变连接的耗尽宽度来控制通道的开口。
在此模型中，我们模拟了N掺杂的GAAS MESFET对不同的排水和栅极电压的响应。对于N掺杂材料，预计电子浓度是比孔浓度大的数量级。因此，可以使用多数载体选项来计算具有较小自由度的精确解决方案，因此通常需要使用电子和孔配方来计算它。
两种方法之间的一致性非常好，但是大多数载体配方均快速解决了两倍。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：乐动体育app无法登录
但是，可能需要其他产品来完全定义和建模。乐动体育app无法登录此外，也可以使用以下产品组合中的组件来定义和建模此示例：
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