Ingan/Algan Double异质结构LED
申请ID：20299
该模型模拟了基于GAN的发光二极管。发射强度，光谱和量子效率是驱动电流的函数计算的。对整个带隙的直接辐射重组进行了建模，以及非辐射螺旋钻和陷阱辅助的重组过程。这导致随着电流的增加，发射强度的亚线性增加，这是被称为LED下垂的LED设备的共同特征。请注意，模型中不包括薄薄的活性区域内的极化电荷效应和量子限制效应。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：乐动体育app无法登录
但是，可能需要其他产品来完全定义和建模。乐动体育app无法登录此外，也可以使用以下产品组合中的组件来定义和建模此示例：
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