伦巴第表面迁移率
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表面声音子和表面粗糙度对载体的迁移率具有重要影响，尤其是在MOSFET栅极下的薄反转层中。Lombardi表面迁移率模型使用Matthiessen的规则将这些效果从这些效果产生的表面散射添加到现有的移动性模型中。
该模型演示了如何在简单的MOSFET中使用Lombardi表面迁移率模型来进行电子迁移率。将流入终端的电流密度曲线和总电流与恒定迁移率相提并论。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：乐动体育app无法登录
但是，可能需要其他产品来完全定义和建模。乐动体育app无法登录此外，此示例还可以使用以下产品组合中的组件来定义和建模：
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