肖特基联系
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该基准模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想肖特基屏障二极管的行为。将最终的J-V(电流密度与应用电压)从向前偏置下获得的模型获得的曲线与文献中发现的实验测量值进行了比较
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