半导体模块

comsol多物理学®5.5版本版本半导体半导体的了了个的密度梯度梯度公式一个个新新新新的的辅助异质辅助异质界面复合复合特征特征以及以及以及四四个个新新新新模型模型。模型。多信息。

密度梯度

新版本了基于密度梯度选项选项,可以新新新新常规常规常规漂移漂移扩散扩散扩散公式公式公式中包包含含量子束缚束缚的影响影响影响。这这其他为其他其他成本计算成本的。

结果显示新新新新新新的的梯度梯度密度密度电子浓度(((

三个模型了了::

陷阱陷阱异质界面复合

新版本添加陷阱陷阱异质界面边界条件模拟陷阱影响影响。,您您/或/或或或连续连续能级陷阱来来流子流子流子流子捕获捕获

其他功能

  • 用户用户的结电流
    • 异质结边界新选项支持指定的的电流电流
  • 陷阱准费米能级
    • 引入新显式陷阱,以以使用准费米作为的变量因
  • 掺杂相关材料
    • 现在,“模型”列表列表“输送”分支分支了受主和和,方便施主施主施主浓度施主施主您
  • 固体固体耦合
    • 电位移场导数变量已,现在现在支持变形与固体进行进行
  • 薛定谔-泊松泊松泊松
    • 薛定谔-泊松20 kt扩展范围物理场物理场的的权重范围扩展扩展扩展扩展扩展40 kt,以以涵盖高高范围范围情况
  • 新的内置
    • 新增费米-log_fd_half_inv_an和log_fd_half_an,并并接受所有输入输入
  • 针对以下的::
    • caughey-thomas迁移率迁移率公式
    • 用于用于研究的求解器解器
    • 准费米能级公式的
  • 针对以下的::
    • 准费米能级准费米能级的弱项中的一个错误(((来自于来自于来自于来自于来自于来自于来自于®5.4(3)
    • 肖特基肖特基显式表面陷阱电荷效应
    • 两个半导体模型之间边界电流密度,已边界电流密度有限有限体积进行离散化校正
    • 零零边界条件的,使使不不不轴对边界边界

新的的和和

5.5版本新增更新多个教学教学案例