半导体模块
comsol多物理学®5.4版本版本“半导体”的的用户引入了新薛定谔-泊松泊松泊松多，新，新新了陷阱辅助表面Wkb近似近似方法的隧穿特征阅读阅读，进一步以下，进一步进一步进一步了解这些
薛定谔-泊松泊松方程多物理场
新新薛定谔-泊松泊松泊松多物理场接口静电与薛定谔物理场之间双向双向，实现实现量子限制的的载流子建模建模静电接口接口电势可以薛定谔方程中的势能势能薛定谔接口接口概率的统计加权加权和静电接口中空间。这一特征所有空间维度（一一，一一维轴对称，二二，，，二维轴和对称三维和）
除，还，还还的薛定谔-泊松研究研究，用于在序列自动。，“案例库”中中还新增了一名名名名为名砷化镓纳米线砷化镓纳米线砷化镓纳米线砷化镓纳米线的薛定谔自洽薛定谔薛定谔泊松泊松泊松泊松泊松泊松泊松的于演示这一特征。以下显示解器收敛于-泊松-泊松-泊松系统的的的自洽解自洽解
陷阱辅助表面
新新陷阱辅助表面边界条件取代绝缘，薄绝薄绝和绝缘子绝缘子特征中表面表面复选。支持一个显式陷阱旧复选旧复选框，新框框旧复选框框框框框框框条件条件条件包含包含包含包含包含两两两两两两两选项两框框框框框框框，分别陷阱辅助（（（）相同相同，新新边界条件已为包含。肖特基肖特基肖特基。肖特基。接触肖特基中中中中还还新增了了一一一个个基准模型基准模型模型模型基准基准基准基准模型模型基准基准基准基准基准模型模型基准
随栅压变化终端计算值和等效联电导重现了中记载的数据数据特性
随栅压变化终端计算值和等效联电导重现了中记载的数据数据特性
WKB隧穿隧穿
Wkb近似近似近似隧穿隧穿，用用分析量子隧穿效应穿过异质结异质结势垒势垒的传输传输的的额外额外连续/异质结和金属金属（（类型设设理想理想（时）特征特征中添加的额外电流栏来启用此，“ wkb隧穿”。“。”。案例库中中中新增了一个基准基准基准异质结异质结异质结异质结异质结异质结异质结
动画显示通过隧穿效应穿透个无法经典力学解释的势垒
主要增强
- 新增可于离散元准费米能级的的线性形函数形函数
- 新新额外电流栏中用户的，异质结（热热热电子热和肖特基
- 对于异质结的热电子电子电子热热热个个个
- 现在，由于由于中电场的（
semi.e_ins）始终始终，您您更地绝缘体输入的隧穿密度电流 - Fletcher迁移率srh srh复合复合俄歇复合复合在公式中加入非非负载，以负载流子浓度值负载
- 在复制粘贴接触绝缘栅静电终端，复制终端静电静电实体现在在具有新的终端
- 用于小的终端电流现在位位的的
- 现在可以方便集总，例如参数总总偏置接触的的
- 现在可以在陷阱能级的上执行小信号信号
- 对于半导体半导体研究研究，改进了于计算驱动金属接触的
新增教学
comsol多物理学®5.4版本新增了多“半导体”教学教学教学案例
moscap的的陷阱
（（（蓝色左），蓝色（（左左左并（（右右，绿色右右右（（右右右右右右右与与与与中中的的的
在“案例库”：：
moscap_1d_interface_traps
引脚二极管的反向反向
PIN二极管过程加电压（左左，（蓝色），电压电压（（，绿色，绿色）和和（轴左左，绿色终端和和和电流终端电流电流（（（（（，红色，红色）
在“案例库”：：
pin_reverse_recovery
教学案例
- “硅”，“硅太阳能”，Am 1.5太阳辐照度硅吸收光谱用于于于光生率
- 更新了“异质结一维”
- 通过通过不同的来实现更快的的
- 研究1：手动手动
- 研究2：继承“研究1”中中的（与之前之前版本）
- 研究3：半导体半导体研究步骤步骤初始
- 4：从1E-8缓变缓变和电流掺杂缓变之前为关闭状态关闭关闭关闭）
- （（（））
- 更新了注释描述和模型；已已命名命名
- 通过通过不同的来实现更快的的
- gan双双
- 已已半导体半导体研究研究初和求解器设置设置的
- 移除移除电流偏置的求解器求解器
- 更新更新模型，设置注释和模型
- 对于eeprom模型，“研究1”已已默认和和，以和和手动的的的的