超高真空,化学蒸气沉积
应用ID:21711
化学蒸气沉积(CVD)是在半导体工业中经常使用的过程,用于在晶圆底物上种植高纯度固体材料层。CVD使用许多不同的技术以及从大气到超高真空(UHV/CVD)的一系列压力实现。
UHV/CVD以低于10-6 PA(10-8 TOR)的压力进行,因此通过分子流量来实现气体传输,并且缺乏任何流体动力效应,例如边界层。此外,由于分子碰撞的频率低,也没有涉及气相化学,因此生长速率将由物种的数量和表面分子分解过程确定。
该模型使用多种物种,自由分子流来模拟硅晶片的生长。探索了几个抽水曲线的效果。
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