校准热模型以模拟激光辅助键合过程

G. Spinola Durante1,R。JoseJames1,E。RutzInnerhofer1,K。Krasnopolski1
1CSEM,瑞士
出版于2020

在此海报中,我们介绍了校准ComsolMultiphysics®模型的策略的结果,以模拟MEMS芯片的激光键合工艺(LADB)。这项工作的一个特定方面是通过用微型热电偶在芯片的侧面测量并非常靠近激光斑来校准COMSOLMultiphysics®热模型损失。激光的功率也可以独立,准确地用热电检测器进行,并包括在热模型中。模拟模型正在考虑固定装置对压制和对齐激光键合的热影响。然后,使用校准的COMSOLMultiphysics®热模型通过修改激光参数以找到最佳键合参数空间来预测芯片的热影响。