comsol多物理学^®5.5释放亮点

半导体模块更新

对于半导体模块的用户，comsol多物理^®版本5.5包括一种新的密度梯度公式，一个新的陷阱辅助的异质面重组功能以及四个新型号。了解有关这些半导体功能和其他改进的更多信息。

密度梯度公式

引入了基于密度梯度理论的新离散选项，以在常规的漂移扩散公式中包括量子限制的效果。这为其他更复杂的量子机械方法提供了有效的替代方法，这些方法在计算上昂贵。

结果显示了来自新的3D密度梯度仿真的电子浓度（切片），电流密度（箭头）和电势（等电势）。

在三个新模型中证明了此功能：

• nanowire_dense_gradient_3d
• insb_pfet_dense_gradient
• si_inversion_layer_dense_gradient_and_schrodinger_poisson

陷阱辅助异质面重组功能

新的陷阱辅助异质面重组添加边界条件供您模拟异质界面处的接口陷阱的效果。设置离散和/或连续的能级陷阱以解释其载体捕获和对异性框的充电效果是直接的。

其他改进

• 用户定义的连接当前选项
  • 异缝边界条件的新选项允许用户指定连接处的任何任意电流密度
• 陷阱准Fermi级配方
  • 引入了一种新的显式陷阱公式，以使用陷阱准富米级作为要解决的因变量
• 掺杂依赖的材料特性
  • 现在可以在模型输入列表的运输分支下获得受体浓度和供体浓度
• 固体力学耦合
  • 更新了电位移场的时间导数的变量，以允许耦合到固体力学的网格变形
• Schrödinger-Poisson方程
  • 重量的范围Schrödinger-Poisson多物理耦合从20 kt扩展到40 kt，以覆盖较高温度范围的病例
• 新的内置功能
  • 可以使用新的fermi-dirac函数log_fd_half_inv_an and log_fd_half_an并接受一系列输入参数
• 精度提高：
  • Caughey-Thomas流动性模型配方
  • 默认求解器设置用于时间依赖性研究
  • 准Fermi级配方的默认缩放
• 错误修复：
  • 准Fermi级公式的时间相关弱项中的错误（由于Comsol多物理学^®版本5.4更新3）
  • 明确表面陷阱电荷对Schottky触点的缺失影响
  • 两个相邻半导体材料模型特征之间的边界电流密度公式，可校正有限体积离散化
  • 选择过滤器零充电边界条件，不要覆盖轴向对称边界条件

新的教程模型和应用

5.5版带来了几种新的和更新的教程模型。