使用半导体模块模拟模拟

硅平面器件成传感器和微处理器内-氧化物-氧化物-氧化物-氧化物-硅-硅-硅-硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅电容器电容器电容器电容器电容器电容器电容器电容器。。。为了为了保证保证器件器件器件器件器件器件正常正常正常正常正常正常正常正常正常正常正常正常正常正常正常硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅硅模块”为为了多种分析方法方法方法方法方法方法方法

近距离观察观察

MOS电容（（MOSCAP））主要主要三个：

1. 半导体主体或衬底
2. 绝缘膜
3. （（（（栅极栅极））

moscap主要分为：表面表面和道型选择种设计取决于。。。。。

moscap。由brews ohare拍摄拍摄在在CC BY-SA 4.0许可，通过，通过Wikimedia Commons分享。

mos结构通常所用，主要容功能功能功能医疗和成像应用电荷耦合器件，简称简称耦合器件电荷耦合器件耦合器件中中是通常的部分部分

Moscap正常运行，工程师工程师预测。。。。comsol多物理学的附加产品- - “”半导体模块”提供了种分析moscap的的方法。。

模拟moscap的2种种方法

moscap模型模型模型接地接地接地接地接地接地接地接地接地接地接地接地氧化物氧化物氧化物氧化物氧化物氧化物氧化物硅交界面硅交界面硅交界面硅交界面。。为了为了为了更更好地研究氧化物与与硅硅左端点处网格我们还对整个整个建模域模域应用了了均匀掺杂和和和和和和和和和和和和和和和和均匀掺杂均匀掺杂均匀掺杂均匀掺杂均匀掺杂均匀掺杂复合复合复合复合复合复合。。。

利用这样，研究研究可以多不同的方式分析分析分析分析分析的的的的下面下面我们将简要两

提示：文末链接中的分步演示本文所的。。。

方法1：电压电压

在第一中，模型模型域厚度厚度厚度为为为为为为为为为为为为厚度厚度中中中中中中中中中中稳态研究，扫描，扫描瞬态研究步骤。

Moscap在线性在线性在线性在线性在线性项项项电压下的中中中中中中中中中中中中中中的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的的此此此此此此此此此为为为为为为为为为为为为为 -2 v〜1 v〜1 v。。。分别分别考虑了低高10^-3v/s，10³v/s。

方法2：小小分析分析

工程师或许通过信号分析来来确定确定在在在不同偏置电压下的差分。。

从comsolMultiphysics®版本5.3a开始，“半导体模块”新增新增个可半导体模型的是是是是是是是半导体平衡研究步骤，可研究系统，并系统非平衡态系统初始。个个准费米能级公式，当模拟极端下器件器件时，它时时处理处理。。。

comsol®软件的的半导体平衡研究步骤。

moscap小小信号分析中。。。。。因此因此。。。。。。，2 v〜1 v〜1 v〜1 v之间之间之间一系列一系列直流直流偏置。。。。同时10^-3，高10⁴hz。此示例中

moscap仿真结果

上述两方法都可用于高频高频高频高频高频高频高频计算曲线曲线曲线曲线曲线曲线曲线特性特性特性特性特性特性特性这这这这这这这对于对于对于分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析分析

（（（（左左））和和信号分析（右右）

我们发现发现发现所的特性特性教科书描述描述一致一致一致一致一致一致一致一致一致一致一致一致常见常见常见常见常见常见常见常见常见模型文档文档文档文档文档中中参考文献文献文献文献文献文献文献文献文献的的的的的的的的的的配图可可见见见见保证精确求解。

后续操作

如文案例案例案例，请，方链接方链接，跳至至至至案例案例案例下载下载下载下载页面登录comsol访问帐户mph文件文件。。

• moscap一维模型
• moscap一一小信号分析分析

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