分子流模块
APP：离子离子注入机计算器计算器
app可以可以一离子注入机设备中的，压力压力压力，以及，，，以及分子流量流量流量流量。。。。晶片晶片晶片晶片晶片晶片的的的角度角度角度，，化学组成组成组成，排气速率排气速率排气速率排气速率沿着束迹出解析解平均数密度。
app的的的，其中其中设备数密度分布分布，以及分布分布分布
app的的的，其中其中设备数密度分布分布，以及分布分布分布
快速自由计算的数值改进
自由分子流接口更效率，允许的允许在计算过程中更有效有效地更更多多多多核核核核。。。。。在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在在运行仿真。
| 教学 | CPU时间（5.0） | CPU时间（5.1） | 提速 |
| 蒸发器 | 2小时24分4秒 | 18分31秒 | 7.8 |
| 排气管 | 2分57秒 | 45秒 | 3.9 |
| 离子注入机 | 5分15秒 | 2分1秒 | 2.6 |
分子流的多物质
新增的排气速率的选项
[（torr * l）/cm^2/s]或[（mbar * l）/cm^2/s]（（（（等价的的2）。在在壁边界条件中选定选定排气壁选项时，您您在的的热解吸率特征中使用单位。
新增：超高真超高真的气相沉积沉积
（cvd）常用于常用于常用于半导体中在晶片基底上高高纯度的的的的固体固体固体材料层材料层材料层材料层。有有很多不同不同不同的的的技术实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现实现CVD在压力低于10-6pa （10-8（托尔）情况进行，气体传递实现实现，因此流来，因此因此流来诸如诸如诸如边界层边界层等等流体动力效应。此外此外此外此外此外此外此外此外此外此外此外此外因为因为因为因为涉及涉及气相化学化学化学（（（（（（（（低低低低低低低碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞碰撞密度和分子分解过程。。
这个教学在自由分子流接口中种来模拟硅的化学气相。通过辅助的的的扫描扫描扫描
图显示超高真空晶片暗室中进行化学沉积沉积过程中的的的的的的的的分子
图显示超高真空晶片暗室中进行化学沉积沉积过程中的的的的的的的的分子