半导体模块更新
comsol多物理学®5.3a版本“半导体”的的引入了个准费米级的的新新研究进一步了解半导体特征其他新增功能。
半导体平衡研究
半导体物理场接口新增了一为为半导体平衡的研究一新研究适用于状态的的系统，还系统系统系统系统系统
显示新的半导体平衡研究步骤的“模型向”窗口窗口。
显示新的半导体平衡研究步骤的“模型向”窗口窗口。准费米能级公式
此版本离散化方案，其中方案其中准费米作为载流子因因变量。。准费米能级准费米能级公式公式公式提供提供备选备选备选备选备选备选方案方案方案备选时处理非线性的方程组。
功率驱动的终端
金属接触条件个个选项，可选项可于指定功率。是除电压电压和和和电流电流驱动驱动的终端终端的的种种种方案方案方案
陷阱功能
陷阱用户了，用户扩展扩展可以可以每或连续级子级子节点单独单独输入输入初始阱初始阱占有率和和因子因子，还简并因子因子因子还还还能量轴点数这一扩展功能具有属性属性的系统系统系统系统系统
适用于薛定接口的完美匹配层
薛定谔方程接口除了用于出射波的开放边界条件，现在，现在新增了完美（PML）功能，可可研究中出射波这功能有助于各种。。。
新增教学：玻色-爱因斯坦爱因斯坦的的的的的的的的
本教学使用“半导体”中中中薛定谔方程的中-爱因斯坦-爱因斯坦爱因斯坦爱因斯坦凝聚基态基态的的的的的的的基态方程方程方程方程该方程本质本质上上是是非线性谔方程方程方程方程方程方程方程方程因此问题，因此，这里这里改用研究一执行执行波函数归一化的的方程方程方程来来来基态解。正正正正如如如如我们的的的吻合。
案例库：：
semiconductor_module/Quantum_systems/gross_pitaevskii_equation_for_bose_einstein_condensation
新增：一一维维维小小小小
- 氧化物-硅-（MOS）结构结构许多硅平面单元单元单元单元单元单元单元单元单元单元结构结构结构测量法法可以可以可以帮助用户深入深入了解此此类器件类器件类器件类器件类器件的的工作工作原理。。本本教学维模型，使用小分析方法计算了低频高频c-v曲线曲线模型模型使用使用使用使用使用使用使用®5.3a版本新增的准费米能级和和半导体平衡研究步骤。
C-V曲线。。。。。。。。
C-V曲线。。。。。。。。
案例库：：
semiconductor_module/device_building_blocks/moscap_1d_small_signal
增强功能和错误修复
- 增强了不电离，变化电子及的有限体积体积，并公式公式公式公式
- schottky势垒势垒势垒势垒自动设置设置金属接触电势的约束值
- 改进了迁移率模型低电流下的性能表现
- 增强了掺杂类型中参数缩放的一致性
- FEM）fem）fem），，相关相关带隙（FVM）以及以及以及梯度梯度引起的的载扩散扩散（FVM）的
- MOSFET教学教学教学教学得到更新更新更新
- Fermi-dirac变量变量变量变量变量变量变量变量变量
- 修复了用于金属接触schottky势垒势垒势垒势垒高度公式公式公式公式公式
教学案例改进
mosfet系列系列案例
mosfet系列案例更新，现在现在较粗化网格粗化网格粗化网格粗化网格，明显粗化网格粗化网格粗化网格粗化网格计算计算速度。。该系列系列模型的的带隙带隙变窄变窄效应得到了改进改进的网格更高的。。
模型总体计算大幅提高
许多教学已新，现在现在高效的和参数化扫描设置设置
- mosfet系列系列案例
- mosfet的的特性
- MOSFET击穿
- MOSFET迁移率模型
- mosfet小小分析
- 离子敏感效应晶体管仿真
- 砷化p-p-n结红结红管管
- pn二极管电路
- Coughey Thomas迁移率
- 伦巴第表面迁移率
- 浮栅eeprom器件器件的编程
- mesfet的直流特性
案例库结构重组
“案例库”中“器件”类别替类别替为四个新类别：
- 器件构建块
- 光子器件和传感器
- 量子系统
- 晶体管