分子流块模块
新应用：离子植入器评估器
该应用程序检查了离子植入装置内部的数量密度，压力和分子通量。晶片的角度，化学成分，温度，量高和泵速的角度都是输入的。视觉结果包括数量密度的3D图，而分析结果给出了沿光束线的平均数量密度。
离子植入器评估器应用程序的屏幕截图显示了整个设备的数量密度分布及其沿光束线的平均值。
离子植入器评估器应用程序的屏幕截图显示了整个设备的数量密度分布及其沿光束线的平均值。
更快的自由分子流量计算的数值改进
这游离分子流界面更有效地平行，可以在计算过程中有效使用更多的核心。下表显示了与以前的版本相比，Comsol Multiphysics 5.1中运行了三个教程模型的速度。使用10核机来运行模拟。
| 教程 | CPU时间（5.0） | CPU时间（5.1） | 加速 |
| 蒸发器 | 2H 24m 4s | 18m 31s | 7.8 |
| 超出管道 | 2m 57s | 45s | 3.9 |
| 离子植入器 | 5m 15s | 2m 1s | 2.6 |
分子流的多种物种
指定超出率的新选项
现在可以用[（torr * l）/cm^2/s]或[（MBAR * l）/cm^2/s]指定排气速率（等效的SI单元w/m2）。您现在可以在新单元中使用这些单元热解吸当时的费率功能量大在墙边界条件下选择墙选项。
新教程：超高真空的化学蒸气沉积
化学蒸气沉积（CVD）是在半导体工业中经常使用的过程，用于在晶圆底物上种植高纯度固体材料层。CVD使用许多不同的技术以及从大气到超高真空（UHV/CVD）的一系列压力来实现。由于UHV/CVD是在低于10-6 PA（10-8 TOR）的压力下进行的，因此通过分子流量来实现气体转运，并且缺乏任何流体动力效应，例如边界层。此外，由于不涉及气相化学（由于分子碰撞的频率低），生长速率将由物种的数量和表面分子分解过程确定。
本教程在游离分子流界面以模拟CVD硅晶片的生长。在运行辅助扫描后，探索了不同泵送曲线的影响。
该图显示了在超高真空吸尘器上化学蒸气沉积过程中晶圆盒上SIH4的分子通量分数。
该图显示了在超高真空吸尘器上化学蒸气沉积过程中晶圆盒上SIH4的分子通量分数。