（EEPROM）是编程只只是非易失性非易失性非易失性，用户非易失性，用户可以通过通过施加施加电电压脉压脉冲来冲来重复存储存储和擦除擦除少量少量少量少量数据在等中应用。工程师可以借助半导体仿真分析分析分析和和和和优化优化优化
改进存储：从rom到eeprom
eeprom来自设备改进。。例如例如例如例如例如例如（Rom）。
为了其他缺点，科学家们科学家们缺点了只只（prom），，，可以可以后用特殊的工具工具对对其其。。然而然而然而然而然而（EPROM）设计设计的的的的的，工程师工程师使用紫外光自行擦除擦除数据。。。虽然虽然虽然这这这这是是一一实质性
为了这个，eeprom诞生诞生。与被称为的更快的的也也开发出来。。
eeprom的缺点它能的次数次数次数，并且次数次数电源电源
EEPROM设备设备设备由micah由micah伊丽莎白·斯科特（Elizabeth Scott）提供提供的作品通过Flickr Creative Commons在CC BY-SA 2.0下获得许可。
要研究一个EEPROM设备，包括其周期擦除及和电荷特性特性半导体模块进行模拟下面我们举例详细说明。
用半导体仿真分析分析
本文的浮栅浮栅例子是基于基于康纳农，s。基尼，a。MATHEWSON和C。LOMBARBARDI的工作（EEPROM案例教程中的2）。。模型几何形状所示示示，总总如下图所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所所
EEPROM模型几。
简单说，写入擦除周期从施加施加始电压脉冲压脉冲开始开始压脉冲压脉冲器件器件进行进行编程。使用这个模型
对eeprom设备设备写入控制电期间电场。看到电场集中在隧道势垒内。。。
EEPROM设备擦除数据，施加，施加负脉，使，使，并，并出去，并并浮动栅浮动栅返回返回到到接近接近使用使用使用使用使用种不同eeprom器件器件的。。
检查eeprom设备
，我们，我们一研究结果结果，该的结果结果结果电电电（写入写入）（写入）和不不（擦除擦除擦除擦除擦除擦除擦除“导通”控制之前，源极源极漏极漏极没有电流流动当控制超过超过该该阈值阈值阈值时时时时时时时，对于阈值阈值阈值阈值该改变电压，进而改变-漏极-漏极，如漏极伏安曲线。。。。
使用从研究中的源电流源电流，可以信息信息信息存储电荷电荷。例如，1V的的控制电压电压电压电压电压电压在在在在在在在擦除擦除擦除擦除擦除擦除配置配置配置配置配置配置中中中不会产生-15μa时，电流约0.5c。
10mv时，源极时时时源极电压关系。蓝线表示处于擦除擦除状态的器件，绿线器件器件，绿线绿线
接下来的图了与相关研究结果结果，工程师工程师研究研究分析瞬态电电电压脉压脉冲冲冲，这些的影响影响影响影响影响影响影响影响影响影响影响影响
在中中中看到写入擦除过程隧道随时间变化。在在写入写入写入过程中中中中中中写入在在在在写入写入在写入写入写入写入写入写入过程过程中电子电子到这些电子浮动栅极，产生与写入大小相等正。。。
下图了种下浮栅上的的的的的的的的的的引起引起引起引起势垒引起势垒势垒势垒与与与与与时间时间时间的的的函数关系这里这里这里这里这里这里这里返回到这些是预期，并的的的确认半导体仿真的有效性。
对于（蓝色）和（绿色）过程，隧道（左）和和栅极中（右）
后续步骤
如本示示示MPH文件。。。。。。
阅读下面文章文章，了解半导体其他：：
评论（0）