（EEPROM）是可编程编程是种非易失性，用户非易失性非易失性非易失性，用户用户可以通过施加施加电电压脉压脉冲来重复重复重复和和和擦除擦除在微控制器设备有应用工程师可以可以半导体半导体仿真分析分析和和分析和分析和
改进改进：从rom到eeprom
eeprom来自存储不断改进。例如。例如。例如例如类型的的版本版本版本只只只只只只只只读只读只只只只只。。。。。。。。
为了以及其他，科学家们科学家们其他了编程编程只（prom），可以可以创建创建后用的的工具对对其。进行。（EPROM）设计设计的解决解决迭代解决，工程师工程师使用紫外光紫外光自行擦除数据。。。。虽然这虽然这这这是是是一实质性
为了解决，eeprom诞生诞生了。被称为闪存更快的快也也也开发出来了了
eeprom的一些是它次数的次数，并且有限，并且从电源中中中
EEPROM设备设备设备图片micah iCah伊丽莎白·斯科特（Elizabeth Scott）提供提供自己的作品作品Flickr Creative Commons在CC BY-SA 2.0下获得许可
要研究一EEPROM设备，包括包括周期擦除周期及和电荷电荷半导体半导体进行进行。我们将举例详细说明
用半导体半导体仿真分析
本文讨论浮栅浮栅例子例子是是康纳农，s。基尼，a。MATHEWSON和C。LOMBARBARDI的的（EEPROM案例案例中中2）。。模型的形状形状所所如下图所所如下图如下图如下图形状形状形状形状形状形状形状形状形状形状如下图形状形状形状形状形状形状形状形状形状如下图所形状形状如下图所形状所所形状形状形状形状如下图如下图如下图如下图如下图如下图如下图如下图所所所所如下图如下图如下图如下图如下图
EEPROM模型模型几
简单来，写入和周期从从施加始电压脉冲压脉冲始电压脉冲初初器件器件器件器件进行。。这个这个，我们
Eeprom设备设备进行的电压脉冲的。看到看到电场集中在隧道势垒势垒内
Eeprom设备设备擦除擦除，施加个负脉负脉种种eeprom器件器件的特性特性
检查eeprom设备
，我们，我们一静态研究结果，该研究的的的带带带（写入写入）阈值“导通”，源极控制，源极源极漏极之间没有流动。当超过超过超过超过该该该阈值阈值该该时超过超过该，对于对于该该超过改变阈值阈值，进而-改变-漏极，如，如如示示示
使用从项中获得的源电流，可以可以源电流源电流信息存储电荷电荷。。例如例如。，1v的的控制电压电压电压电压电压擦除擦除擦除擦除擦除配置配置配置配置配置中会会会-15μa时，电流约0.5c。
10mv时，源极漏极时时控制电压关系。表示处于处于擦除擦除状态状态的的，绿线绿线的器件
接下来的幅了了时间相关的的，工程师工程师的的分析瞬态瞬态瞬态电电压脉冲压脉的冲冲冲的冲的的冲冲的电压脉压脉的
在下图中下图可以写入擦除擦除电流电流随的变化。在在写入写入写入过程写入写入过程，电子过程写入写入写入写入写入过程电子电子电子隧穿到到中中这些电子浮动栅极，产生与写入过程正电流电流电流
下图显示种情况下浮栅存储存储存储的（由由隧道势垒引起势垒）与与与与与与与时间时间的的的的函数函数。。。。关系关系。返回到。是预期，并的预期预期有助于半导体仿真的仿真的
对于（蓝色）和（绿色）过程，隧道（左）和和浮动中（右）
后续后续
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