半导体模块更新
comsol多物理学®5.3版本“半导体”的的新增了了薛定谔方程物理场接口学问题，还还了个案例。请阅读阅读以下
新的：：薛定谔方程
新增的薛定谔方程接口解单谔方程来解决一维，二三维中问题问题问题问题问题，以及量子力问题问题问题问题问题问题问题问题问题问题问题在假设假设假设假设假设包络函数包络函数下下下下下下下下下下中您相应的研究类型类型类型类型，用于用于类型设置设置模型模型和和计算计算计算计算计算计算各各各各种种种种种情况情况情况中物理量物理量物理量物理量物理量共振隧穿条件结构有效带隙。。模块模块模块包含个新新，以示例示例示例示例
有关使用谔方程模拟示例示例示例
semiconductor_module/verification_examples/double_barrier_1d
其他性能改进
电流驱动的接触
新版本一个，其中个电流驱动金属接触边界条件更更轻松地
有关阱明细的更选项选项
对于，除了物质，除了对和和外时常用曲线工具，来来具有中性能的。。。
用户自的碰撞电模型模型
新中，碰撞电离新增了个自定义选项。。
新应用程序：超晶格带隙工具工具
超晶格带隙设计两种交替生长材料（（的基态。工程师可以使用该快速计算周期性结构结构的有效有效带隙，并带隙，并并带隙
app，app，用户须所参数参数参数参数参数参数超晶格超晶格势垒层的宽度，，这些层中电子空穴空穴的的有效有效质量，这些层偏移会更新更新，app用户用户应检查其性。用户还控制研究所用用的的最大最大最大网格单元单击单击单击计算计算计算计算计算计算计算计算按钮按钮按钮按钮可有效带隙在“图形”窗口窗口绘制了波函数空穴空穴波函数。
“案例库”：：
semiconductor_module/applications/superlattice_band_gap_tool
新：一：一维势垒势垒
双势垒受到关注，是是该可用于可振隧穿振隧穿管等半导体。。。
这一验证演示了薛定谔方程gaas/algaAs双结构结构结构的的结构结构结构结构结构结构结构准束缚态缚态及其其时间时间时间，，，，，，，振隧穿振隧穿振隧穿振隧穿振隧穿现象特征能量，以及的系数，模型系数与解析结果一致。
“案例库”：：
semiconductor_module/verification_examples/double_barrier_1d
ISFET
ISFET（ISFET）MOSFET的是的的用的电解质电解质取代其其栅极栅极构建的。。。离子离子与与与电电介质之间之间的的的相互引起栅极栅极栅极电压电压电压电压电压电压可确定解质特定离子物质的。。
ISfet ph ph传感器阐明建立模型模型与模型之间过程过程。还演示演示演示了一种使用使用简单的的全局方程来技术技术技术技术技术技术
注：除了“半导体”，，本本还以下：“电池电池燃料模块”，，，，，，，化学工程模块模块，，，，，，，腐蚀腐蚀腐蚀腐蚀，，，，“电化学”电化学电化学电化学电化学电化学电化学模块，，，流体模块”。
ISFET中的。
ISFET中的。
“案例库”：：
semiconductor_module/设备/ISFET
新的：一moscap
- 金属-硅-硅硅结构结构许多硅的基本构建通过测量电容电容电容电容电容电容电容电容电容电容电容电容电容可以可以深入此此类器件类器件类器件类器件类器件的的的的的工作工作工作原理原理。。本本教程教程教程构建构建构建了了一一个简单简单简单的的的的的的的的C-V曲线。。。。。。
moscap的低频高频高频c-v曲线。。
moscap的低频高频高频c-v曲线。。
“案例库”：：
semiconductor_module/devices/moscap_1d
新：一：一维硅电池电池
个教学简单的维硅太阳能模型模型模型模型，“演示”半导体半导体模块模块模块模块模块模块模块模块来来来设置设置和和执行半导体半导体仿真的基本基本步骤步骤。。中中表达式表达式表达式的i-v p-v曲线曲线此中中详细详细效应载流子生成生成生成生成机制，为机制，为为，使用见见见在主要效应。正常工作下下下下下下下下下下下下下下下的两两侧扫描光生载生载生载流子流子流子，施加流子流子扫描光侧侧侧侧侧两两两两两两两两两两两两
“案例库”：：
semiconductor_module/devices/si_solar_cell_1d
更新：双极：双极晶体管热性能热性能
在双极晶体管热分析的更新研究了中的非温度。。。半导体接口提供固体传热接口中，而，而固体传热接口计算半导体接口中分布现在，仿真现在仿真高功率功率下运行，以运行，以达到下下下
（（（（（（））和和温度温度分布。）
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“案例库”：：
semiconductor_module/devices/bipolar_transistor_thermal